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lwb870525木蟲 (著名寫手)
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[求助]
射頻磁控濺射中的靶材自偏壓是怎么形成的？（假如放電氣體為Ar） 已有4人參與
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要沉積薄膜的基底放在陽(yáng)極，靶材放在陰極。當(dāng)射頻電源在兩電極間加上電場(chǎng)后： 1、射頻電源在正周期提供的電場(chǎng)，使得Ar+向靶材（陰極）加速運(yùn)動(dòng)并撞擊靶材，與此同時(shí)電子向基底（方向）運(yùn)動(dòng)，但是由于靶材背面的磁場(chǎng)的洛倫茲力作用，其被限制在了靶材表面附近，提高了等離子體的密度； 2、射頻電場(chǎng)在負(fù)周期時(shí)，陽(yáng)極和陰極兩電極的電場(chǎng)方向發(fā)生變化，Ar+會(huì)減速向靶材運(yùn)動(dòng)，而電子則會(huì)加速向靶材（陰極）運(yùn)動(dòng)。 以上關(guān)于射頻電場(chǎng)周期性變化時(shí)，Ar+和電子在兩電極間的運(yùn)動(dòng)描述，是不是對(duì)的？ 靶材的自偏壓又是如何形成的？ 請(qǐng)大神解釋下，謝謝！ |
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2樓2016-05-02 10:21:44
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
lwb870525: 金幣+3, ★有幫助, 謝謝 2016-05-02 19:00:08
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lwb870525: 金幣+3, ★有幫助, 謝謝 2016-05-02 19:00:08
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解釋起來(lái)非常長(zhǎng)，可以參考有關(guān)書籍。 簡(jiǎn)單說(shuō)就是等離子體中離子的質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子的質(zhì)量，在RF交互電場(chǎng)中電子移除速度快于離子移動(dòng)速度，因而形成一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)，產(chǎn)生自偏壓。 |
3樓2016-05-02 11:26:30
baiyulong_
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4樓2016-05-02 13:26:58
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