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risktaker111

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[交流] 磁控濺射雙靶與單靶在制備中的應(yīng)用

磁控濺射雙靶與單靶：
小弟最近要用磁控濺射設(shè)備制備薄膜，平時(shí)用的是單靶。但是，實(shí)驗(yàn)室其他人用的是雙靶。如果把雙靶換成單靶需要一定的時(shí)間，麻煩。
所以小弟想問(wèn)一下，用雙靶代替單靶制備薄膜是否可以呢？當(dāng)然，薄膜會(huì)淀積成，但是有什么區(qū)別呢？

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1樓 2012-10-22 15:04:51

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linberg

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risktaker111: 金幣+2, 謝謝 2012-10-24 16:24:17

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4樓: Originally posted by Ivan_ye at 2012-10-22 16:20:41
LZ，我也做過(guò)磁控濺射，仍然真心不明白你要表達(dá)什么。我只能根據(jù)自己的揣測(cè)回答你的問(wèn)題。
假設(shè)你用A靶和B靶依次進(jìn)行單靶濺射，則制得的材料構(gòu)型應(yīng)該是Substrate\A film\B film，其中A膜和B膜之間存在清晰的界面， ...

應(yīng)該就是你說(shuō)的這種情況。樓主的單靶估計(jì)是摻雜靶，就是A+B混合燒結(jié)的靶，雙靶就是A靶和B靶共濺射吧。根據(jù)我的理解，如果樓主想在很大范圍內(nèi)改變A/B比例的話(huà)，還是雙靶共濺射好，不用去做很多不同比例的單靶。但是如果B只是少量摻雜的話(huà)，單靶濺射的重復(fù)性等等要好一些。

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9樓2012-10-22 17:16:46

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Ivan_ye

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chemlh: 金幣+1, 歡迎積極交流 2012-10-24 08:22:30
risktaker111: 金幣+2, 謝謝 2012-10-24 16:24:05

LZ，我也做過(guò)磁控濺射，仍然真心不明白你要表達(dá)什么。我只能根據(jù)自己的揣測(cè)回答你的問(wèn)題。
假設(shè)你用A靶和B靶依次進(jìn)行單靶濺射，則制得的材料構(gòu)型應(yīng)該是Substrate\A film\B film，其中A膜和B膜之間存在清晰的界面，也就是說(shuō)基材上有兩層薄膜；如果是A靶和B靶進(jìn)行雙靶濺射，則基材表面僅生成一層薄膜，這層薄膜由A和B通過(guò)一定比率摻雜形成，材料構(gòu)型為Substrate\A-B film。

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4樓2012-10-22 16:20:41

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wu1008

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引用回帖:

9樓: Originally posted by linberg at 2012-10-22 17:16:46
應(yīng)該就是你說(shuō)的這種情況。樓主的單靶估計(jì)是摻雜靶，就是A+B混合燒結(jié)的靶，雙靶就是A靶和B靶共濺射吧。根據(jù)我的理解，如果樓主想在很大范圍內(nèi)改變A/B比例的話(huà)，還是雙靶共濺射好，不用去做很多不同比例的單靶。但是 ...

其實(shí)，共濺射的效果真心不怎么樣

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10樓2012-10-22 17:27:30

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大水杯

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我也不太明白你說(shuō)的單靶與雙靶是什么意思，是上面所說(shuō)的做摻雜嗎？

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11樓2012-10-22 18:57:06

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簡(jiǎn)單回復(fù)

葉小豬兒5樓

2012-10-22 16:43 回復(fù)

risktaker111(金幣+1): 謝謝參與

引用回帖:

3樓: Originally posted by neu234 at 2012-10-22 15:59:32 高深啊

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