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請(qǐng)教制備薄膜時(shí)不同的退火方式
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磁控濺射制備薄膜，需要退火，想用以下三種方法： 1.濺射完后，800度通氧氣一小時(shí)，再降到室溫 2.濺射完后，從800度降到一個(gè)固定的溫度（如300度），設(shè)定一個(gè)固定的時(shí)間（比如一小時(shí)），此過(guò)程通氧氣，然后再降到室溫 3.濺射完后，取出薄膜放入管式爐中通氧氣800度下一小時(shí)，再降到室溫 請(qǐng)教下第二種方法算退火嗎？如果算的話這三種方式分別是什么？原位退火or？？？有什么區(qū)別和影響？ |
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lulinsmann
木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
破曉初春: 金幣+10, 謝謝，那也就是post annealing包括jn-situ和ex-situ？ 2013-03-08 06:31:13
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
破曉初春: 金幣+10, 謝謝，那也就是post annealing包括jn-situ和ex-situ？ 2013-03-08 06:31:13
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in-situ：原位，即在濺射腔中不取出直接退火，你所述的前兩種即in-situ ex-situ：離位，即從濺射腔中取出退火，你所述的第三種即ex-situ post-annealing：后續(xù)退火，即在濺射完成后再退火，區(qū)別于濺射過(guò)程中的熱處理，你所述的三種都是post-annealing |
8樓2013-03-07 16:14:42
zvs1988
鐵桿木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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2樓2013-03-07 13:26:34
wu1008
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