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[求助]
請教制備薄膜時(shí)不同的退火方式
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磁控濺射制備薄膜，需要退火，想用以下三種方法： 1.濺射完后，800度通氧氣一小時(shí)，再降到室溫 2.濺射完后，從800度降到一個(gè)固定的溫度（如300度），設(shè)定一個(gè)固定的時(shí)間（比如一小時(shí)），此過程通氧氣，然后再降到室溫 3.濺射完后，取出薄膜放入管式爐中通氧氣800度下一小時(shí)，再降到室溫 請教下第二種方法算退火嗎？如果算的話這三種方式分別是什么？原位退火or？？？有什么區(qū)別和影響？ |
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lulinsmann
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破曉初春: 金幣+10, 謝謝，那也就是post annealing包括jn-situ和ex-situ？ 2013-03-08 06:31:13
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破曉初春: 金幣+10, 謝謝，那也就是post annealing包括jn-situ和ex-situ？ 2013-03-08 06:31:13
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in-situ：原位，即在濺射腔中不取出直接退火，你所述的前兩種即in-situ ex-situ：離位，即從濺射腔中取出退火，你所述的第三種即ex-situ post-annealing：后續(xù)退火，即在濺射完成后再退火，區(qū)別于濺射過程中的熱處理，你所述的三種都是post-annealing |
8樓2013-03-07 16:14:42
wangbo1966
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破曉初春: 金幣+10, 是為了補(bǔ)充氧量提高結(jié)晶度，第二種是邊通氧氣邊降溫度，直至300度，再在300度保溫一小時(shí)（不斷氧氣），然后斷氧降到室溫，這樣效果會(huì)比較差么？ 2013-03-08 06:34:52
chemlh: 歡迎積極交流 2013-03-11 14:04:23
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破曉初春: 金幣+10, 是為了補(bǔ)充氧量提高結(jié)晶度，第二種是邊通氧氣邊降溫度，直至300度，再在300度保溫一小時(shí)（不斷氧氣），然后斷氧降到室溫，這樣效果會(huì)比較差么？ 2013-03-08 06:34:52
chemlh: 歡迎積極交流 2013-03-11 14:04:23
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三種都算退火。 要看你退火的目的，如果是為了提高結(jié)晶度和補(bǔ)充氧含量，第一種方法的原位退火效果應(yīng)該最好，第三種次之，而第二種效果最差。因?yàn)槭窃?00℃保溫，原子擴(kuò)散能力相對較弱，因此對結(jié)晶度和補(bǔ)氧量的作用都相對較低。 |
10樓2013-03-07 17:01:18
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3樓2013-03-07 14:07:57
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6樓2013-03-07 15:16:24
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7樓2013-03-07 15:17:57
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9樓2013-03-07 16:27:26
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