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suifeng_muiq金蟲 (小有名氣)
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[求助]
關(guān)于磁控濺射SiO2薄膜的絕緣性問題 已有3人參與
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| 我們在濺射SiO2的時(shí)候用的是射頻濺射，靶材為2英寸的SiO2. 濺射功率是100w和150w，工作氣壓是0.1 Pa。然后對SiO2的絕緣性進(jìn)行測試，發(fā)現(xiàn)200 nm，250 nm的二氧化硅的絕緣性不好。300 nm的絕緣性還行，但是要分兩次來做150nm+150nm。請教一下如何解決SiO2絕緣性不好的問題。另外，濺射的過程沒有通O2，氧氣對此有影響嗎？求解！ |
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邢穎邢穎
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