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vasp計算帶電粒子吸附計算的問題 已有3人參與
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最近想計算帶電粒子在催化劑表面的吸附性質(zhì),但是看了手冊,和壇子里的介紹,發(fā)現(xiàn)對于slab模型,對整個體系加入電荷(NELECT控制),好像計算是有問題的.... 這個帖子有過說明http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8266545&fpage=1&target=blank http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/FAQ.html最后五段 vasp官方FAQ中也有過解答。 問題: 1、針對slab模型,調(diào)節(jié)NELECT去結(jié)構(gòu)優(yōu)化,是不是完全沒有意義 對一個電中性條件下已優(yōu)化好的結(jié)構(gòu)(CONTCAR_1),其能量為E1,然后對CONTCAR_1加一個電子并結(jié)構(gòu)優(yōu)化得到帶電下的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(CONTCAR_2),計算CONTCAR_2在電中性下的能量E2,比較E1和E2來說明材料帶電對其結(jié)構(gòu)的影響。這樣做有沒有意義。對于官方教程,我的理解是帶電后,會產(chǎn)生一個靜電場,使得能量不準(zhǔn)。如果我不橫向比較能量(比較帶電前后),有沒有意義 2、如果給體系(slab)帶上一個電子,然后去吸附電中性的小分子,在這種條件下,所有的能量全是建立在帶一個電子的基礎(chǔ)上,這樣比較吸附的過程能量變化有沒有意義。 3、最近也看到過 對體系(slab)加電子模擬,在催化劑表面上超氧負離子O2-還原過程,這么做有沒有意義 4、仔細分析了一下啊,產(chǎn)生這些問題的原因都是調(diào)控NELECT不能精準(zhǔn)地把電子加到某個原子上,有沒有其他的軟件固定原子的所帶的電荷?如果有請告知一下。 PS:曾經(jīng)在壇子里看到有說改POTCAR中電子的數(shù)目,來調(diào)控帶電,仔細分析,這樣做確實可以調(diào)節(jié)外來帶電粒子A-(slab結(jié)構(gòu)總不含A元素)的電荷,并且把電荷局域到A上,但是POTCAR太深奧,不敢改,也就沒有試過...有沒有哪位試過,或者看到過類似的做法,希望告知。 非計算出身,自學(xué)的vasp,對于理論基礎(chǔ)把握不到位,請大家指導(dǎo)。 1.jpg |
弛豫 |

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謝謝您啦 你說的優(yōu)化小的帶電分子,我也試過,CO2- 優(yōu)化后確實是直線的,與實驗值和Gaussian的結(jié)果是不符合的 帶電體系能量變得大,從我把靜電勢能的圖導(dǎo)出來,我也就明白了,對slab模型加電子,結(jié)果相當(dāng)于是在電場存在下的能量,能量數(shù)值不可避免收到較大的影響 我想加電子,想法主來來自于NC上的一篇文章。對體系加電子然后模擬半導(dǎo)體CB上的反應(yīng),通過能量確定途徑(文中是通過castep,DMol3...) |

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VASP那個FAQ第五段似乎給出了方案。 1、不見得沒意義,以往無法處理過剩電荷原因是因為單胞內(nèi)帶有電荷會導(dǎo)致庫倫發(fā)散,F(xiàn)在不少程序允許使用凝膠模型,引入背景電荷與過剩電荷相互作用來克服發(fā)散的問題。如果不能夠使用凝膠模型,那應(yīng)該是無法進行計算的。但即便如此,過剩電荷可能會引起體系的兩個slab之間出現(xiàn)靜電作用,比較合適的做法是足夠的真空層(最好也考慮work function的校正)。當(dāng)然,這樣的做法可能多少還是存在一些爭議。 2、你指的是Mol(-)+Slab=Mol-Slab(-)?這樣應(yīng)該還是可行的吧。3也類似,前提是都是要符合1中提到的條件。 4、這個問題必須搞清楚原理,化合價只是個經(jīng)典形式電荷的問題,在量子物理中,電子是離域的,強行使之局域在某個原子根本無意義(由于方法缺陷導(dǎo)致的該局域而不局域又是另外一碼事)。 不必調(diào)整POTCAR,直接指定NELECT結(jié)果原則上應(yīng)該沒什么不同吧。還望進一步討論。 |


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