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XPS半定量計(jì)算問題求解。 已有2人參與
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看了小木蟲一些資料,也算有所收獲。再次衷心感謝那些付出過的蟲友,也知道了XPS頂多是在surface層面進(jìn)行的半定量計(jì)算。但現(xiàn)在小弟仍有些不明白之處,還望打什么賜教。 比方說,現(xiàn)在有一合成薄膜Cu3N,合成過程中如果有微量的O進(jìn)去了,F(xiàn)在小弟想計(jì)算一下O/N比。小弟也窄掃了O1s和N1s。以及Cu 2p。O1s在530eV左右可以分為兩個(gè)峰,N1s本來就兩個(gè)峰(窄掃),但用XPS PEAK分峰后,O1s處的峰面積比N1s兩個(gè)峰面積之和還高幾倍。這是咋回事呢?XRD掃描結(jié)果顯示,樣品中幾乎都是Cu3N啊。按照靈敏度因子計(jì)算還不成CuO或Cu2O了? 因?yàn)镹-Cu也是結(jié)合的,這可以從Cu 2p窄掃圖上一目了然,那么這部分N不算到正體N含量里面去嗎?(也就是說這部分N不該加到靈敏度因子計(jì)算法的分子分母上去嗎?) 也不知道我能否將我自己的問題表述清楚,如有不太明白問題的可以聯(lián)系我。真的很期待大家的積極發(fā)言。 |
材料表征好帖 |
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XPS為異位 測(cè)試,即的確是將薄膜從沉積腔內(nèi)取出,先保管后再做的XPS測(cè)試。 不過,您說的第二個(gè)問題,的確我承認(rèn)我沒有做。因?yàn)槭莿傞_始接觸儀器,大部分還不是很懂。 我把我的操作步驟跟您說一下,請(qǐng)您指正: step1: 全譜掃描,很快,三次累計(jì)得全譜; step2: depth profile: 也即離子槍刻蝕,我根據(jù)自己的薄膜情況和實(shí)驗(yàn)儀器指標(biāo),大約刻蝕30回足矣(即即將到達(dá)沉底表面)。因?yàn)槲沂窃O(shè)定成30回逐步儀器自動(dòng)測(cè)試,最終自動(dòng)保存數(shù)據(jù)(保存的當(dāng)然是窄掃的各個(gè)區(qū)間數(shù)據(jù),各30回)。我并不是刻蝕一次,掃全譜,再掃窄譜;再接下來第2回,刻蝕一次,掃全譜,再掃窄譜;再接下來第3回……直到30回。這樣的話我?guī)缀蹙碗x不了實(shí)驗(yàn)儀器了!咎珣辛,沒這樣做…… 也就是說,我只有沒刻蝕過的最原始的表面全譜,以及depth profile的30回左右的各個(gè)區(qū)間窄掃圖(窄掃圖沒有再full-scan了)。 不過,就我的經(jīng)驗(yàn)而談,即使離子槍刻蝕后,全譜我也做了的話,我想也只有Cu, O, N 以及一開始刻蝕仍存在的C1s峰(C1s 在更深處含量幾乎為0,消失了,也證明我的薄膜更深處污染可以忽略吧?不知道這樣理解可否?) 表述的希望您可以理解,如果不理解,我們?cè)偬接懣梢詥,小弟剛剛起步,所以麻煩您不吝賜教。 |
木蟲 (著名寫手)
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XPS因?yàn)槭请娮幽茏V手段,探測(cè)的是最后出射的電子信息,電子在材料內(nèi)部逃逸深度在幾個(gè)nm的尺度,因此XPS技術(shù)探測(cè)深度在幾個(gè)nm到10個(gè)nm左右。而你制備的樣品如果沒有好好保存的話,基本上都會(huì)有很嚴(yán)重的表面C、O污染。所以你看到的這些C、O含量很有可能并不是你材料本身含有的,是表面污染。 而你如果做EDS、XRD等技術(shù)探測(cè)的是出射X光信息,在材料表面逃逸深度達(dá)到微米尺度,因此探測(cè)深度在幾個(gè)微米甚至更深,就不會(huì)出現(xiàn)這些問題。 有時(shí)候,人們以為 XPS測(cè)試的時(shí)候需要加入元素碳(284.6eV)作為內(nèi)標(biāo),這是不對(duì)的。C并不是做XPS的時(shí)候加入的,XPS測(cè)試不會(huì)往樣品上加任何東西。這部分C是因?yàn)槟銟悠繁4婊蛘咿D(zhuǎn)移過程中污染引入的。 |

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