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ms_hit_yzy金蟲 (小有名氣)
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[求助]
肖特基勢壘及基本概念求助 已有4人參與
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1、肖特基勢壘具有整流效應(yīng)，當(dāng)正向電壓達(dá)到一定值時，開始有大電流流通，那這個開啟電壓與什么有關(guān)，外加電壓與內(nèi)建電壓的合嗎？ 2、外加反向電壓會有反向漏電流，漏電流的大小與電壓是什么關(guān)系？ 3、在開啟電壓處電流是否為零? 4、勢壘高度與內(nèi)建電場是一個概念嗎？或者說勢壘高度就是內(nèi)建電壓的強度？ 謝謝各位！ |
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肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。 肖特基二極管（SBD）的主要特點： 1）正向壓降低：由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和 正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）反向恢復(fù)時間快：由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非常快，開關(guān)損 耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。 3）工作頻率高：由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。 4）反向耐壓低：由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。 金屬與n型半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導(dǎo)體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面最大的區(qū)別在于具有較低的界面電壓，以及在金屬端具有相當(dāng)薄的(幾乎不存在)空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬，電子需要克服勢壘；而由金屬向半導(dǎo)體，電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導(dǎo)體一側(cè)的勢壘下降；相反，在加反向偏置時，半導(dǎo)體一側(cè)勢壘增高。使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬—半導(dǎo)體接觸均如此）。如果對于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，對于N型半導(dǎo)體，金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù)，以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸，它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng)，以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙，以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計半導(dǎo)體器件時需要對肖特基效應(yīng)相當(dāng)熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢壘。當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致。 |
2樓2015-06-09 13:06:51
ms_hit_yzy
金蟲 (小有名氣)
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3樓2015-06-09 14:28:29
jerryxinjie
禁蟲 (正式寫手)
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ms_hit_yzy: 金幣+10, ★★★★★最佳答案 2015-06-12 18:36:13
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4樓2015-06-10 00:23:51
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東方洛克博
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1、肖特基勢壘具有整流效應(yīng)，當(dāng)正向電壓達(dá)到一定值時，開始有大電流流通，那這個開啟電壓與什么有關(guān)，外加電壓與內(nèi)建電壓的合嗎？ 開啟電壓近似為勢壘高度約等于 內(nèi)建電場 在開啟電壓處電流是否為零? 開啟電壓處電流相對于開啟后電流很小，很少有為零的情況。 4、勢壘高度與內(nèi)建電場是一個概念嗎？或者說勢壘高度就是內(nèi)建電壓的強度？ 內(nèi)建電場近似等于勢壘高度， |
5樓2015-06-10 01:06:17
happyxiong
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6樓2015-06-10 14:49:46
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