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ms_hit_yzy金蟲 (小有名氣)
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[求助]
肖特基勢壘及基本概念求助 已有4人參與
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1、肖特基勢壘具有整流效應(yīng),當(dāng)正向電壓達(dá)到一定值時,開始有大電流流通,那這個開啟電壓與什么有關(guān),外加電壓與內(nèi)建電壓的合嗎? 2、外加反向電壓會有反向漏電流,漏電流的大小與電壓是什么關(guān)系? 3、在開啟電壓處電流是否為零? 4、勢壘高度與內(nèi)建電場是一個概念嗎?或者說勢壘高度就是內(nèi)建電壓的強度? 謝謝各位! |
至尊木蟲 (著名寫手)
東方洛克博
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1、肖特基勢壘具有整流效應(yīng),當(dāng)正向電壓達(dá)到一定值時,開始有大電流流通,那這個開啟電壓與什么有關(guān),外加電壓與內(nèi)建電壓的合嗎? 開啟電壓近似為勢壘高度約等于 內(nèi)建電場 在開啟電壓處電流是否為零? 開啟電壓處電流相對于開啟后電流很小,很少有為零的情況。 4、勢壘高度與內(nèi)建電場是一個概念嗎?或者說勢壘高度就是內(nèi)建電壓的強度? 內(nèi)建電場近似等于勢壘高度, |

金蟲 (正式寫手)
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肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。 肖特基二極管(SBD)的主要特點: 1)正向壓降低:由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和 正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)反向恢復(fù)時間快:由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少,故開關(guān)速度非?,開關(guān)損 耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。 3)工作頻率高:由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。 4)反向耐壓低:由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發(fā)生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管大。 金屬與n型半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導(dǎo)體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面最大的區(qū)別在于具有較低的界面電壓,以及在金屬端具有相當(dāng)薄的(幾乎不存在)空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導(dǎo)體一側(cè)的勢壘下降;相反,在加反向偏置時,半導(dǎo)體一側(cè)勢壘增高。使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬—半導(dǎo)體接觸均如此)。如果對于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù),以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸,它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙,以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計半導(dǎo)體器件時需要對肖特基效應(yīng)相當(dāng)熟悉,以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢壘。當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致。 |
金蟲 (小有名氣)
禁蟲 (正式寫手)
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