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[交流]
請(qǐng)教異質(zhì)外延生長晶體薄膜的晶向與襯底材料晶向的關(guān)系~【回答有幫助的送紅花】 已有10人參與
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首先抱怨一下，小木蟲論壇火熱，在線會(huì)員及訪客數(shù)量龐大，但是很多帖子回復(fù)率都很低，難道是提問尋求幫助的問題都太難了嗎？每次發(fā)個(gè)帖子都準(zhǔn)備發(fā)放金幣，結(jié)果到最后基本沒有回復(fù)，要不就是廢話，浪費(fèi)了一大堆金幣（雖然金幣也沒什么用，就是用來發(fā)的），真心希望能有些真正的高手來到小木蟲為蟲友答疑解惑~少扯些閑淡~什么評(píng)上“教授了，散金幣”，“發(fā)了XXX，求祝賀”之類的~看起來你學(xué)歷和專業(yè)知識(shí)也應(yīng)該達(dá)到一定高度了，來答疑解惑不是更好嗎？ 言歸正傳，請(qǐng)教一個(gè)問題：在使用諸如MOCVD、MBE或者HVPE之類手段外延生長晶體薄膜時(shí)，如果襯底材料的晶向【也就是襯底表面的晶面指數(shù)】可以任意選擇，那么外延出來的薄膜的晶向如何？兩者對(duì)應(yīng)關(guān)系是如何確定的？如果是同質(zhì)外延，我想，外延的薄膜去向與襯底去向應(yīng)該一致，但是如果是異質(zhì)外延呢？請(qǐng)不吝賜教~回答有幫助的送紅花以示感謝~ |
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這個(gè)問題其實(shí)很籠統(tǒng)，得看具體問題。 基底的材料和取向肯定會(huì)影響薄膜的取向的。但具體有什么關(guān)系，得具體看是什么基底和什么薄膜，也就是說得看具體的材料。 結(jié)合我做的ZnO薄膜，玻璃基底、Si基底和金屬緩沖層上生長的ZnO都是002取向，但結(jié)晶性肯定有差異。文獻(xiàn)里報(bào)道的Al2O3基底生長的也都是002取向。就是說得看具體物質(zhì)。 基底可能會(huì)改變?nèi)∠�，但是不絕對(duì)。因?yàn)橛绊懭∠虻膮?shù)很多，不止基底取向性這一個(gè)，而且，基底的取向性也不一定是最主要的影響參數(shù)，也許氣氛成分、基底溫度等影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于基底的影響。 建議多看一些具體的相關(guān)文獻(xiàn)， |
2樓2012-04-02 14:37:55
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襯底晶向決定外延薄膜晶向——這是毋庸置疑的。 以GaN ON Al2O3為例： 在C面生長GaN，那GaN生長出來的就是002晶向 如果你Al2O3做一個(gè)偏角，比方說30°偏角，那GaN生長就會(huì)受影響，因?yàn)檠厮{(lán)寶石C面生長，GaN與其的適配越小，鍵鍵之間更牢固，狀態(tài)越穩(wěn)定。 GaN on Si為例說來： 111面市三角形結(jié)構(gòu)，對(duì)于6方晶系的GaN來說，最容易生長 所有生長非常規(guī)晶向的GaN，比方說 m plane 或者r plane的方法，都是選用特殊晶向Si, 利用KOH腐蝕，路出來111面和-1-1-1面等，將111面以外的晶面利用Si02保護(hù)，進(jìn)入MOCVD生長，就可以只在111面生長，且此時(shí)GaN的c面朝向是非垂直的，與Si襯底平行的也就是非c面，從何得到非主流的GaN |
MANOWAR12樓2012-04-09 14:33:00
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蔣青松: 金幣+1, 鼓勵(lì)參與 2012-04-03 09:29:15
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薄膜取向和基底取向的關(guān)系，理論上只能定性地從晶格常數(shù)上進(jìn)行推測(cè)，晶格常數(shù)匹配的晶面會(huì)擇優(yōu)生長，沒有嚴(yán)格的“定量的”對(duì)應(yīng)關(guān)系。具體實(shí)驗(yàn)中，制備的薄膜哪個(gè)晶面對(duì)應(yīng)基底的哪個(gè)晶面，可以根據(jù)XRD、TEM等表征得知。 |
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6樓2012-04-02 23:04:42
7樓2012-04-03 13:45:39
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