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請(qǐng)教異質(zhì)外延生長(zhǎng)晶體薄膜的晶向與襯底材料晶向的關(guān)系~【回答有幫助的送紅花】 已有10人參與
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首先抱怨一下,小木蟲論壇火熱,在線會(huì)員及訪客數(shù)量龐大,但是很多帖子回復(fù)率都很低,難道是提問(wèn)尋求幫助的問(wèn)題都太難了嗎?每次發(fā)個(gè)帖子都準(zhǔn)備發(fā)放金幣,結(jié)果到最后基本沒有回復(fù),要不就是廢話,浪費(fèi)了一大堆金幣(雖然金幣也沒什么用,就是用來(lái)發(fā)的),真心希望能有些真正的高手來(lái)到小木蟲為蟲友答疑解惑~少扯些閑淡~什么評(píng)上“教授了,散金幣”,“發(fā)了XXX,求祝賀”之類的~看起來(lái)你學(xué)歷和專業(yè)知識(shí)也應(yīng)該達(dá)到一定高度了,來(lái)答疑解惑不是更好嗎? 言歸正傳,請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題:在使用諸如MOCVD、MBE或者HVPE之類手段外延生長(zhǎng)晶體薄膜時(shí),如果襯底材料的晶向【也就是襯底表面的晶面指數(shù)】可以任意選擇,那么外延出來(lái)的薄膜的晶向如何??jī)烧邔?duì)應(yīng)關(guān)系是如何確定的?如果是同質(zhì)外延,我想,外延的薄膜去向與襯底去向應(yīng)該一致,但是如果是異質(zhì)外延呢?請(qǐng)不吝賜教~回答有幫助的送紅花以示感謝~ |
鐵電材料 | 半導(dǎo)體 LED等 | GaN EPI |
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襯底晶向決定外延薄膜晶向——這是毋庸置疑的。 以GaN ON Al2O3為例: 在C面生長(zhǎng)GaN,那GaN生長(zhǎng)出來(lái)的就是002晶向 如果你Al2O3做一個(gè)偏角,比方說(shuō)30°偏角,那GaN生長(zhǎng)就會(huì)受影響,因?yàn)檠厮{(lán)寶石C面生長(zhǎng),GaN與其的適配越小,鍵鍵之間更牢固,狀態(tài)越穩(wěn)定。 GaN on Si為例說(shuō)來(lái): 111面市三角形結(jié)構(gòu),對(duì)于6方晶系的GaN來(lái)說(shuō),最容易生長(zhǎng) 所有生長(zhǎng)非常規(guī)晶向的GaN,比方說(shuō) m plane 或者r plane的方法,都是選用特殊晶向Si, 利用KOH腐蝕,路出來(lái)111面和-1-1-1面等,將111面以外的晶面利用Si02保護(hù),進(jìn)入MOCVD生長(zhǎng),就可以只在111面生長(zhǎng),且此時(shí)GaN的c面朝向是非垂直的,與Si襯底平行的也就是非c面,從何得到非主流的GaN |
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薄膜取向和基底取向的關(guān)系,理論上只能定性地從晶格常數(shù)上進(jìn)行推測(cè),晶格常數(shù)匹配的晶面會(huì)擇優(yōu)生長(zhǎng),沒有嚴(yán)格的“定量的”對(duì)應(yīng)關(guān)系。具體實(shí)驗(yàn)中,制備的薄膜哪個(gè)晶面對(duì)應(yīng)基底的哪個(gè)晶面,可以根據(jù)XRD、TEM等表征得知。 |

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這個(gè)問(wèn)題其實(shí)很籠統(tǒng),得看具體問(wèn)題。 基底的材料和取向肯定會(huì)影響薄膜的取向的。但具體有什么關(guān)系,得具體看是什么基底和什么薄膜,也就是說(shuō)得看具體的材料。 結(jié)合我做的ZnO薄膜,玻璃基底、Si基底和金屬緩沖層上生長(zhǎng)的ZnO都是002取向,但結(jié)晶性肯定有差異。文獻(xiàn)里報(bào)道的Al2O3基底生長(zhǎng)的也都是002取向。就是說(shuō)得看具體物質(zhì)。 基底可能會(huì)改變?nèi)∠,但是不絕對(duì)。因?yàn)橛绊懭∠虻膮?shù)很多,不止基底取向性這一個(gè),而且,基底的取向性也不一定是最主要的影響參數(shù),也許氣氛成分、基底溫度等影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于基底的影響。 建議多看一些具體的相關(guān)文獻(xiàn), |

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