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[交流]
請教異質(zhì)外延生長晶體薄膜的晶向與襯底材料晶向的關(guān)系~【回答有幫助的送紅花】 已有10人參與
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首先抱怨一下,小木蟲論壇火熱,在線會員及訪客數(shù)量龐大,但是很多帖子回復(fù)率都很低,難道是提問尋求幫助的問題都太難了嗎?每次發(fā)個帖子都準備發(fā)放金幣,結(jié)果到最后基本沒有回復(fù),要不就是廢話,浪費了一大堆金幣(雖然金幣也沒什么用,就是用來發(fā)的),真心希望能有些真正的高手來到小木蟲為蟲友答疑解惑~少扯些閑淡~什么評上“教授了,散金幣”,“發(fā)了XXX,求祝賀”之類的~看起來你學歷和專業(yè)知識也應(yīng)該達到一定高度了,來答疑解惑不是更好嗎? 言歸正傳,請教一個問題:在使用諸如MOCVD、MBE或者HVPE之類手段外延生長晶體薄膜時,如果襯底材料的晶向【也就是襯底表面的晶面指數(shù)】可以任意選擇,那么外延出來的薄膜的晶向如何?兩者對應(yīng)關(guān)系是如何確定的?如果是同質(zhì)外延,我想,外延的薄膜去向與襯底去向應(yīng)該一致,但是如果是異質(zhì)外延呢?請不吝賜教~回答有幫助的送紅花以示感謝~ |
鐵電材料 | 半導(dǎo)體 LED等 | GaN EPI |
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這個問題其實很籠統(tǒng),得看具體問題。 基底的材料和取向肯定會影響薄膜的取向的。但具體有什么關(guān)系,得具體看是什么基底和什么薄膜,也就是說得看具體的材料。 結(jié)合我做的ZnO薄膜,玻璃基底、Si基底和金屬緩沖層上生長的ZnO都是002取向,但結(jié)晶性肯定有差異。文獻里報道的Al2O3基底生長的也都是002取向。就是說得看具體物質(zhì)。 基底可能會改變?nèi)∠,但是不絕對。因為影響取向的參數(shù)很多,不止基底取向性這一個,而且,基底的取向性也不一定是最主要的影響參數(shù),也許氣氛成分、基底溫度等影響遠遠大于基底的影響。 建議多看一些具體的相關(guān)文獻, |

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