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huanyingmofa

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[求助] 磁控濺射過(guò)程中，Ar氣流速對(duì)鍍膜有什么影響？已有7人參與

最近實(shí)驗(yàn)，一直不知道Ar的流速到底應(yīng)該怎么控制，是應(yīng)該多還是應(yīng)該少？
Ar流速高，真空腔內(nèi)的Ar分子相對(duì)較多，在維持壓強(qiáng)不變的情況下，靶材的分子就會(huì)相對(duì)偏少，不利于膜的形成
Ar流速低，雖然靶材的分子較多，但對(duì)起輝和電離影響大

不知道這樣理解對(duì)不對(duì)？有沒(méi)有相關(guān)文獻(xiàn)討論流速問(wèn)題

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1樓 2014-07-29 16:18:31

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cord

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要研究Ar流量的影響，就需要固定其它參數(shù)，但是Ar流量的變化而氣壓不變，相當(dāng)于抽氣速率就改變了，導(dǎo)致了其它在腔室中的滯留時(shí)間變化，對(duì)成膜有影響。

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3樓2014-07-29 23:26:55

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peterflyer

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peterflyer

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個(gè)人理解：氬氣的流速對(duì)磁控濺射的影響主要體現(xiàn)在對(duì)濺射室壓力的改變上。一般情況下是氣體源頭供氣壓力不變，若在濺射室里的流速增加，根據(jù)伯努利定律則會(huì)引起濺射室壓力下降。再根據(jù)Paschen定律知道，這肯定會(huì)影響最小起弧電壓值，從而影響濺射過(guò)程。

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2樓2014-07-29 21:35:37

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jeremyfrc

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Ar是幫助放電的，同時(shí)也在轟擊靶，氣流大，壓強(qiáng)就大，這樣轟出來(lái)的分子多，但是由于平均自由程減小，所以會(huì)導(dǎo)致成膜的效果不好，淀積速度慢。一般就是考慮平均自由程和淀積速度，這兩個(gè)需要有一個(gè)折中。

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哈哈哈哈，來(lái)吧

4樓2014-07-30 00:51:00

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lsx2121

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這個(gè)是磁控濺射設(shè)備的，壓力控制有關(guān)。
對(duì)于研發(fā)型的設(shè)備而言，分為上游壓力控制和下游壓力控制
上游壓力控制：真空腔室壓力恒定在3mTorr, 泵抽的速度不變，真空計(jì)的信號(hào)，反饋給質(zhì)量流量計(jì)，控制氬氣流量。始終使真空腔室的壓力維持在3mTorr
上游壓力控制：真空腔室壓力恒定在3mTorr, 質(zhì)量流量計(jì)的氬氣流量不變，真空計(jì)的信號(hào)，反饋給真空泵的閥門，控制閥門的開(kāi)關(guān)大小，始終使真空腔室的壓力維持在3mTorr。

磁控濺射的均勻性和穩(wěn)定性，就是真空腔室內(nèi)維持動(dòng)態(tài)的氣氛平衡過(guò)程。

所以你改變氬氣流量，應(yīng)該在這個(gè)前提下進(jìn)行，才能說(shuō)明壓力的流量對(duì)鍍膜的影響。

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5樓2014-07-30 17:28:53

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