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huanyingmofa鐵蟲 (初入文壇)
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[求助]
磁控濺射過程中,Ar氣流速對鍍膜有什么影響? 已有7人參與
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最近實驗,一直不知道Ar的流速到底應(yīng)該怎么控制,是應(yīng)該多還是應(yīng)該少? Ar流速高,真空腔內(nèi)的Ar分子相對較多,在維持壓強(qiáng)不變的情況下,靶材的分子就會相對偏少,不利于膜的形成 Ar流速低,雖然靶材的分子較多,但對起輝和電離影響大 不知道這樣理解對不對?有沒有相關(guān)文獻(xiàn)討論流速問題 求解答 |
真空鍍膜類技術(shù)資料 |
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這個是磁控濺射設(shè)備的,壓力控制有關(guān)。 對于研發(fā)型的設(shè)備而言,分為上游壓力控制 和 下游壓力控制 上游壓力控制:真空腔室壓力恒定在3mTorr, 泵抽的速度不變,真空計的信號,反饋給質(zhì)量流量計,控制氬氣流量。始終使真空腔室的壓力維持在3mTorr 上游壓力控制:真空腔室壓力恒定在3mTorr, 質(zhì)量流量計的氬氣流量不變,真空計的信號,反饋給真空泵的閥門,控制閥門的開關(guān)大小,始終使真空腔室的壓力維持在3mTorr。 磁控濺射的均勻性和穩(wěn)定性,就是真空腔室內(nèi)維持動態(tài)的氣氛平衡過程。 所以你改變氬氣流量, 應(yīng)該在這個前提下進(jìn)行,才能說明壓力的流量對鍍膜的影響。 |
木蟲之王 (文學(xué)泰斗)
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