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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料物理 » 射頻磁控濺射法制備MgO薄膜
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射頻磁控濺射法制備MgO薄膜 已有1人參與
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| 用射頻磁控濺射法制備MgO薄膜，應選擇金屬Mg靶還是MgO靶，這兩種靶材制備MgO薄膜會有有哪些區(qū)別。有文獻中提到因為MgO抗離子轟擊能力較強，用MgO做靶材沉積速率會比較慢。除了影響沉積速率，相對于以Mg為靶材，還會有什么不好的影響嗎？而如果選擇Mg做靶材，薄膜制備過程中必須通入氧氣，如果工作氣體中氧分壓超過一定的數(shù)值，Mg靶的表面也會迅速被氧化成MgO，沉積速率同樣受到影響。氧分壓是射頻磁控濺射法制備MgO薄膜的一個關鍵的影響因素，氧分壓如果不夠高，會不會在MgO薄膜中產(chǎn)生大量的氧空位或鋅填隙缺陷。哪位大神在這方面有經(jīng)驗還望給于指教，謝謝！ |
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3樓2014-10-10 10:29:53
wjwbetter
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2樓2014-10-10 00:51:08
wanghuaxing 
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4樓2014-10-10 21:32:00
chenman106
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- 專業(yè): 無機非金屬類光電信息與功
5樓2014-10-11 09:34:45
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