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大雄MZ金蟲 (初入文壇)
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射頻磁控濺射法制備MgO薄膜 已有1人參與
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| 用射頻磁控濺射法制備MgO薄膜,應(yīng)選擇金屬M(fèi)g靶還是MgO靶,這兩種靶材制備MgO薄膜會有有哪些區(qū)別。有文獻(xiàn)中提到因?yàn)镸gO抗離子轟擊能力較強(qiáng),用MgO做靶材沉積速率會比較慢。除了影響沉積速率,相對于以Mg為靶材,還會有什么不好的影響嗎?而如果選擇Mg做靶材,薄膜制備過程中必須通入氧氣,如果工作氣體中氧分壓超過一定的數(shù)值,Mg靶的表面也會迅速被氧化成MgO,沉積速率同樣受到影響。氧分壓是射頻磁控濺射法制備MgO薄膜的一個(gè)關(guān)鍵的影響因素,氧分壓如果不夠高,會不會在MgO薄膜中產(chǎn)生大量的氧空位或鋅填隙缺陷。哪位大神在這方面有經(jīng)驗(yàn)還望給于指教,謝謝! |

禁蟲 (小有名氣)
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金蟲 (小有名氣)

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