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[交流]
硅片表面氧化層的制作工藝
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| 在半導(dǎo)體領(lǐng)域制備器件的時(shí)候基本都是以硅片作為基底，在硅片表面有一層厚度從幾納米到幾百納米不等的氧化層，但是，有時(shí)候氧化層致密度不是很好，常常在測(cè)試過程中會(huì)有漏電情況產(chǎn)生。所以，在這里想請(qǐng)問一下，一般實(shí)驗(yàn)室使用的SiO2/Si基底的氧化層是如何制備的？具體流程是什么樣的？如果過程介紹起來比較復(fù)雜的話可以推薦相關(guān)的資料也可以，多謝各位前輩前來討論指導(dǎo)！ |
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