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[求助]
表面體系的結構優(yōu)化 已有3人參與
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各位前輩,本人剛接觸VASP,現(xiàn)在想用它來計算表面體系,ENCUT、K-mesh、SIGMA都優(yōu)化好了,接下來想進行結構優(yōu)化。 看了侯老師的教程,關于表面體系的結構優(yōu)化這一塊,候老師寫到“在對表面體系的結構進行優(yōu)化時,主要是對原子的位置進行優(yōu)化,而不再對原胞(Slab模型得到的)大小進行優(yōu)化,一般采用的是Selective Dynamics(也就是有選擇性的位置弛豫)。” 我計算的體系是2x2x3的超胞,對照侯老師的教程進行了Selective Dynamics,計算結果出現(xiàn)ZBRENT: fatal error in bracketing please rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue,重新設置之后也沒有什么效果。 問題: (1)表面體系的結構優(yōu)化具體是怎么做的?有經(jīng)驗的前輩能分享一下你們的例子嗎?包括具體的步驟和設置,不勝感激~~~~ (2)不需要優(yōu)化晶格常數(shù),而需要優(yōu)化原子位置又是為什么? (3)像以上的Selective Dynamics有選擇性的位置弛豫,又是怎么判斷該體系的原子已經(jīng)弛豫到了最佳位置。 謝謝~~~ |
表面 | 光催化及vasp計算 |
專家顧問 (著名寫手)
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專家經(jīng)驗: +20 |
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我想~應該是對於 POSCAR 內(nèi)容無法與所學的固態(tài)物理無法對應 才造成迷惑 POSCAR內(nèi)主要分成三個部份 第二行可以當成是 lattice constant --> A 第三~五行是 lattice vector --> VA "Direct" 這個關鍵字以下所有內(nèi)容都是 atomic position --> p 無論分子(molecule, cluster) or 表面(surface) or 塊材(bulk)系統(tǒng) ~ 皆是由這三個參數(shù)所組成 所以每顆原子在 cartesian coordinate 座標可簡單寫成 A*VA*p 以上,都與固態(tài)所學是相對應的 你所謂的 "對原胞大小進行優(yōu)化" 計算中主要控制參數(shù)就是INCAR內(nèi)中的 ISIF=3 而 "在對表面體系的結構進行優(yōu)化時,主要是對原子的位置進行優(yōu)化" 對應的就是計算中 INCAR 內(nèi)的參數(shù) ISIF=2 請仔細讀 ISIF 參數(shù)說明 http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/guide/node112.html 簡單說 ISIF 就是控制計算過程中 VA & p 是否允許變化(或是說,是否固定) 所謂的結構優(yōu)化就是優(yōu)化這兩個參數(shù) ISIF=3 是 VA & p 都允許優(yōu)化 而 ISIF=2 是 VA 固定, p 允許優(yōu)化 塊材系統(tǒng)使用 ISIF=3 我想你應該是可以理解 但~ 可不可以用 ISIF=2 呢? 答案是可以的,這個我也猜想你應該是知道的,所以就不詳述 表面系統(tǒng) (由原子與真空組成,真空層大多數(shù)會使用約 10 A) 一般~ 學習過程都會教你對於真空系統(tǒng),就是用 ISIF=2 也就是只有 p 允許優(yōu)化 但~ 可不可以跟塊材一樣,使用 ISIF=3 去優(yōu)化呢? 計算上~當然是可以的 如果你計算資源夠多,時間上也很空閒的話,你可以試試看用 ISIF=3 去優(yōu)化真空層約 10A 的表面結構 你就會發(fā)現(xiàn) 你的真空層會一直被吃掉 原本 10A 的真空,一直算一直算,可能會變成 7~8 A 你再把 7~8 A 的 CONTCAR 拿?砝^續(xù)算下去~ VASP 還是會乖乖的一直算一直算~然後可能真空變成 5 A 若是在努力的算下去,最後表面系統(tǒng)可能就會變回成塊材 理由很簡單 這是因為 VASP 計算中,結構是週期性的呈現(xiàn) 建構 10 A 真空的表面系統(tǒng) 對表面系統(tǒng)而言 其頭上與腳下距離 10A 的地方都有一個長的跟它一樣的表面存在著 週期表內(nèi)所有元素都是傾向變成塊材 (塊材一定比表面穩(wěn)定) 所以這樣的計算最後一定回到塊材態(tài) 這就是為什麼 "在對表面體系的結構進行優(yōu)化時,主要是對原子的位置進行優(yōu)化" 其中一個原因 |

鐵桿木蟲 (著名寫手)

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