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大雄MZ金蟲 (初入文壇)
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[求助]
射頻磁控濺射法制備MgO薄膜 已有1人參與
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| 用射頻磁控濺射法制備MgO薄膜，應(yīng)選擇金屬M(fèi)g靶還是MgO靶，這兩種靶材制備MgO薄膜會(huì)有有哪些區(qū)別。有文獻(xiàn)中提到因?yàn)镸gO抗離子轟擊能力較強(qiáng)，用MgO做靶材沉積速率會(huì)比較慢。除了影響沉積速率，相對(duì)于以Mg為靶材，還會(huì)有什么不好的影響嗎？而如果選擇Mg做靶材，薄膜制備過程中必須通入氧氣，如果工作氣體中氧分壓超過一定的數(shù)值，Mg靶的表面也會(huì)迅速被氧化成MgO，沉積速率同樣受到影響。氧分壓是射頻磁控濺射法制備MgO薄膜的一個(gè)關(guān)鍵的影響因素，氧分壓如果不夠高，會(huì)不會(huì)在MgO薄膜中產(chǎn)生大量的氧空位或鋅填隙缺陷。哪位大神在這方面有經(jīng)驗(yàn)還望給于指教，謝謝！ |
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3樓2014-10-10 10:29:53
wanghuaxing 
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4樓2014-10-10 21:32:00
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