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二氧化硅RIE刻蝕 已有2人參與
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| 我們有一臺中科院的ME-3A型磁增強反應離子刻蝕機,現在刻蝕硅片已經對達到最優(yōu)化,一分鐘能達到600nm左右,但是對于石英只能幾十納米,所以跟大家交流一下刻蝕參數。我們目前使用的參數是:流量15,壓強0.5Pa,功率100W,速率25nm/min |



金蟲 (著名寫手)
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鐵蟲 (初入文壇)
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